[发明专利]基于三维可写存储器的可编程门阵列有效
| 申请号： | 201710126067.3 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107154798B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/17728 | 分类号： | H03K19/17728;H03K19/17736 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于三维可写存储器（3D‑W）的可编程门阵列。它含有一可编程计算单元阵列、一个可编程逻辑单元阵列和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有至少一个3D‑W阵列，该3D‑W阵列存储一数学函数的查找表（LUT）。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三维 存储器 可编程 门阵列 | ||
【主权项】：
一种可编程计算单元(100)，其特征在于含有：一含有晶体管的半导体衬底(0)；堆叠在该半导体衬底(0)上的一三维可写存储器（3D‑W）阵列(110)，该3D‑W阵列(110)存储一数学函数的至少部分查找表（LUT）；一设置信号(125)，当该设置信号(125)为“写”时，将一数学函数的值写入该3D‑W阵列(110)；当该设置信号(125)为“读”时，从该3D‑W阵列(110)中读出该数学函数的值。
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