[发明专利]低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710126852.9 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106876450B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 胡欣;黄昕;张帅 | 申请（专利权）人： | 济南安海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 250102 山东省济南市中国（山东）自由贸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用了该发明的低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。在该方法中，由于其首先在衬底的顶部形成凸出于衬底顶部的厚栅氧区，并在该厚栅氧区之上形成作为栅极的多晶硅，从而利用该厚栅氧增加了栅漏电容介质层的厚度，同样的还可以进一步减少栅极与漏极覆盖区域的面积，减小栅漏电容，降低开关损耗，提升场效应晶体管的性能，进而使本发明的低栅漏电容的纵向场效应晶体管更适用于高频应用，且该低栅漏电容的纵向场效应晶体管的结构简单，制造方法简便，生产及应用成本也较为低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 纵向 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低栅漏电容的纵向场效应晶体管，包括：衬底，作为漏极；P‑体区，形成于所述的衬底顶部的一部分；N+注入区，作为源极，形成于所述的P‑体区顶部的一部分；多晶硅，作为栅极，形成于所述的衬底顶部的另一部分与所述的P‑体区顶部的另一部分之上；其特征在于，还包括：厚栅氧区，形成于所述的多晶硅与所述的衬底之间。
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