[发明专利]离子注入方法及离子注入装置有效
| 申请号： | 201710127430.3 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107204271B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 川崎洋司;佐野信;塚原一孝 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新;朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，用于更加准确地评价离子束的注入角度分布。离子注入方法中，向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的晶片照射离子束，测量射束照射后的晶片表面的规定特性，并使用特性的测量结果评价离子束的注入角度分布。晶片也可以取向成具有平行于规定的基准面的沟道效应面(98)，但不具有与基准面正交且与基准轨道方向平行的沟道效应面，所述规定的基准面与入射于晶片的离子束的基准轨道方向平行。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入方法，其特征在于，向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的晶片照射离子束，测量射束照射后的晶片表面的规定特性，并使用所述特性的测量结果评价所述离子束的注入角度分布。
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