[发明专利]一种带隙基准电路中的不使用倒比管的反馈式启动电路

摘要

本发明公开了一种带隙基准电路中的不使用倒比管的反馈式启动电路，包括电源产生模块vdd_gen、带隙基准模块bandgap和LDO反馈电路；所述电源产生模块vdd_gen产生各种偏置电压供本模块和其他模块使用；所述带隙基准模块bandgap用于带隙电压；所述LDO反馈电路产生各种电流漏并用于稳定带隙基准模块bandgap的输出电压。本发明中启动电路未使用倒比管，带有反馈电路，能自动关断启动电路，能很好地偏离电路的非平衡状态。

主权项

一种带隙基准电路中的不使用倒比管的反馈式启动电路，其特征在于：启动电路包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M7、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16和MOS管M17；所述MOS管M15的源极、MOS管M14的源极、MOS管M16的源极、MOS管M17的源极分别接节点vcc2，MOS管M16的漏极接节点Vdd，MOS管M15的栅极、MOS管M16的栅极、MOS管M17的栅极、MOS管M14的漏极分别与节点basep连接，MOS管M15的漏极经电阻接地，MOS管M15的漏极与栅极连接，MOS管M14的栅极为节点A，MOS管M17的漏极分别与MOS管M20的栅极、MOS管M21的栅极连接，MOS管M21的栅极为节点B，MOS管M20的源极经电阻与第一三极管的发射极连接，MOS管M20的漏极分别与MOS管M18的漏极、MOS管M18的栅极、MOS管M19的栅极、MOS管M25的栅极连接，MOS管M18的源极、MOS管M19的源极、MOS管M25的源极连接，MOS管M19的漏极分别与MOS管M21的漏极、MOS管M21的栅极连接，MOS管M21的源极与第二三极管的发射极连接，第二三极管的基极、第一三极管的基极、第一三极管的集电极和第二三极管的集电极接地，MOS管M25的漏极分别与MOS管M26的漏极、MOS管M27的栅极、MOS管M1的栅极、MOS管M6的栅极连接并接节点basen1，MOS管M26的栅极接节点basen2，MOS管M26的源极接MOS管M27的漏极，MOS管M27的源极接地，MOS管M6的漏极与源极接地，MOS管M1的栅极与MOS管M5的栅极连接并接节点basen1，MOS管M1的漏极分别与MOS管M2的漏极、MOS管M2的栅极、MOS管M3的栅极、MOS管M11的栅极连接，MOS管M2的源极与MOS管M3的源极连接并接节点vcc2，MOS管M3的漏极分别与MOS管M4的漏极、MOS管M9的漏极、MOS管M4的栅极、MOS管M7的栅极连接并同时接节点basen2，MOS管M9的栅极接节点basep，MOS管M9的源极与MOS管M10的源极连接，M10的漏极与MOS管M11的源极连接，MOS管M10的栅极与MOS管M11的漏极、MOS管M7的漏极连接并接节点A，MOS管M7的源极与MOS管M5的漏极连接，MOS管M4的源极、MOS管M1的源极、MOS管M5的源极分别接地；启动电路还包括电源产生模块vdd_gen、带隙基准模块bandgap和LDO反馈电路；所述电源产生模块vdd_gen产生各种偏置电压供本模块和其他模块使用；所述带隙基准模块bandgap用于带隙电压；所述LDO反馈电路产生各种电流漏并用于稳定带隙基准模块bandgap的输出电压。