[发明专利]一种紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法在审
| 申请号： | 201710128164.6 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106784054A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;季莎;徐妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0312;H01L31/0352;H01L31/107;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种紫外雪崩光电二极管探测器，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述P‑well或N‑well的上部中心设置有点状雪崩二极管，所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通；所述SiO2层的外围周向设置有接地GND。本申请采用宽禁带半导体材料来制作，雪崩区与光子收集区域分开，雪崩倍增结区较小，能制作出比较低雪崩电压的器件，雪崩区域电场均匀性可控性好；同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 雪崩 光电二极管 探测器 及其 探测 方法 | ||
【主权项】：
一种紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述P‑well或N‑well的上部中心设置有点状雪崩二极管，所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通；所述SiO2层的外围周向设置有接地GND。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京世纪金光半导体有限公司，未经北京世纪金光半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710128164.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
