[发明专利]基于NAND闪存的列替换方法、装置和NAND存储设备在审
| 申请号： | 201710128852.2 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108536389A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟;李建新 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的列替换方法、装置和NAND存储设备，该方法应用于NAND存储设备，该存储设备包括核心阵列、冗余阵列、核心阵列锁存器、冗余阵列锁存器和坏地址锁存器，坏地址锁存器存储坏地址查找表，坏地址查找表存储核心阵列中坏列的列地址；该方法包括：在写数据时，获取待写入数据的物理地址；根据待写入数据的物理地址和坏地址查找表，判断核心阵列中与待写入数据的物理地址对应的列是否损坏；当判断出损坏时，根据待写入数据的物理地址将待写入的数据通过冗余阵列锁存器写入冗余阵列。本发明实施例能提高读写的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 坏地址 锁存器 待写入数据 存储设备 冗余阵列 物理地址 核心阵列 查找表 替换 写入 存储核心 数据通过 列地址 写数据 读写 坏列 存储 | ||
【主权项】：
1.一种基于NAND闪存的列替换方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括核心阵列、冗余阵列、核心阵列锁存器和冗余阵列锁存器，其特征在于，所述存储设备还包括坏地址锁存器，所述坏地址锁存器中存储有坏地址查找表，所述坏地址查找表中存储所述核心阵列中坏列的列地址；相应的，所述方法包括：在写数据时，获取待写入数据的物理地址；根据所述待写入数据的物理地址和所述坏地址查找表，判断核心阵列中与待写入数据的物理地址对应的列是否损坏；当判断出损坏时，根据所述待写入数据的物理地址将待写入的数据通过所述冗余阵列锁存器写入所述冗余阵列；在读数据时，获取待读取数据的物理地址；根据所述待读取数据的物理地址和所述坏地址查找表，判断核心阵列中与待读取数据的物理地址对应的列是否损坏；当判断出损坏时，根据所述待读取数据的物理地址从冗余阵列中对应的列读取数据，并通过所述冗余阵列锁存器输出。
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