[发明专利]一种基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路

摘要

本发明涉及本发明涉及一种基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路。本发明基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，包括压控阻抗VCI变换电路和压控电压电路。该电路通过压控电压电路和压控阻抗变化电路组合，该电路的设计有效可行，既可以消除JFET本身非线性、扩展动态范围，又可以完全消除JFET内部参数开启电压，得到一个只与压控电压和阻值R有关的浮地可调电阻；本发明是一种有效可行的压控浮地线性连续可调电阻电路设计方案。

主权项

一种基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，包括压控阻抗VCI变换电路和压控电压电路；所述压控电压电路包括场效应晶体管Q2、运算放大器U1A和运算放大器U2A；场效应晶体管Q2的漏极与输入电压V2连接，场效应晶体管Q2的源极与运算放大器U1A的反向输入端连接；输入电压V1通过电阻与运算放大器U1A的反向输入端连接，运算放大器U1A的同相输入端接地；场效应晶体管Q2的栅极和场效应晶体管Q2的漏极之间连接有电阻R1，场效应晶体管Q2的栅极通过电阻R2与运算放大器U1A的输出端连接；运算放大器U1A的输出端与运算放大器U2A的同相输入端连接；运算放大器U2A的反向输入端与运算放大器U2A的输出端连接构成电压跟随器；所述压控阻抗VCI变换电路包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、场效应晶体管Q1、负载Z1和负载Z2；场效应晶体管Q1的漏极与运算放大器U2的反向输入端连接，场效应晶体管Q1的源极与两个串联的电阻R8、R9连接；运算放大器U3的同向输入端连接在电阻R8和电阻R9之间，运算放大器U3的反向输入端通过电阻R4接地，运算放大器U3的输出端通过电阻R3与运算放大器U3的反向输入端连接，运算放大器U3的输出端通过电阻R6与场效应晶体管Q1的栅极连接；场效应晶体管Q1的栅极通过电阻R7连接输入电压Vc。