[发明专利]一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器

摘要

本发明涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极，所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。

主权项

一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子有机场效应晶体管存储器，所述有机场效应晶体管存储器自上而下依次包括源漏电极、有机半导体、栅绝缘层、栅电极，其特征在于：所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有聚合物掺杂半导体纳米粒子薄膜层，该层作为电荷存储层用于捕获电荷。