[发明专利]一种顶栅石墨烯场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710129827.6 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106920847A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋爱民;杨乐陶;王汉斌;张锡健 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/16;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种顶栅石墨烯场效应晶体管及其制备方法，包括衬底、氧化硅层、石墨烯沟道层、源极、漏极、栅极，衬底上依次外延生长有氧化硅层、石墨烯沟道层，石墨烯沟道层的两端上设有源极、漏极，源极、漏极之间的石墨烯沟道层上设有一层SiO薄膜，SiO薄膜上设有栅极。本发明中选用绝缘性能良好、介电常数高、蒸发温度低的SiO薄膜作为蒸发材料，SiO薄膜同时作为牺牲层和栅介质层，SiO薄膜作为牺牲层避免了石墨烯沟道层与光刻胶的接触，避免了光刻胶引起的器件性能降低；SiO薄膜作为栅介质层，制备方法简单，对石墨烯沟道层的损伤小，引入的缺陷少，对提高器件性能非常有利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种顶栅石墨烯场效应晶体管，包括衬底、氧化硅层、石墨烯沟道层、源极、漏极、栅极，所述衬底上依次外延生长有所述氧化硅层、石墨烯沟道层，所述石墨烯沟道层的两端上设有源极、漏极，其特征在于，所述源极、漏极之间的所述石墨烯沟道层上设有一层SiO薄膜，所述SiO薄膜上设有栅极。
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