[发明专利]一种自动检测集成电路器件翘曲度的方法及装置有效
申请号: | 201710130120.7 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN106910694B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 吴伟;邱颖霞;闵志先;林文海;刘建军 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人: | 吴娜 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种自动检测集成电路器件翘曲度的方法,包括:获取器件的表面特征图像Fig0;提取待测器件的表面特征图像Fig1、Fig2、……FigN,逐个识别待测区域F1、F2、……Fn;对识别到的待测区域进行翘曲量扫描并计算翘曲度γ;将计算得到的翘曲度γ与设定的翘曲度标准值L进行比对,并计算容差;若待测器件计算得到的容差在设定的容差差值S的范围内,则判定该待测器件或集成电路产品为合格,否则,为不合格。本发明还公开了一种自动检测集成电路器件翘曲度的装置。本发明利用白光扫描干涉技术对待测区域进行扫描并进行翘曲量测量并计算翘曲度,整个过程无需人工操作,能够有效得自动判定电子元器件或集成电路产品是否合格。 | ||
搜索关键词: | 一种 自动检测 集成电路 器件 曲度 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种自动检测集成电路器件翘曲度的方法,该方法包括下列顺序的步骤: (1)获取器件的表面特征图像Fig0,在器件的表面特征图像Fig0上截取待测区域F0作为翘曲度对比所用的标准区域图FigF0;(2)提取待测器件的表面特征图像Fig1、Fig2、……FigN,逐个识别待测区域F1 、F2 、……Fn;(3)对识别到的待测区域进行翘曲量扫描并计算翘曲度数值γ;(4)将计算得到的翘曲度数值γ与设定的翘曲度标准值L进行比对,并计算容差;若待测器件计算得到的容差在设定的容差差值S的范围内,则判定该待测器件或集成电路产品为合格,否则,为不合格;在步骤(1)中,将多个集成电路器件或集成电路成品置于夹持工装上,传送导轨将夹持工装传送到载物台上;令白光光源产生光线,通过干涉显微镜照射到夹持工装上其中一只元器件表面,通过显示输出系统调节待测区域灰度,运用图像处理系统采集接收到的元器件反射的光信号,生成器件的表面特征图像Fig0,并由信号处理系统存储起来;设置白光光源、干涉显微镜和图像处理系统,在表面特征图像Fig0上搜索待测区域,并在表面特征图像Fig0上截取待测区域F0作为翘曲度对比所用的标准区域图FigF0,存入信号处理系统;在步骤(2)中,启动载物台上的传送导轨,将待测的夹持工装逐个放置在干涉显微镜的下方;由图像处理系统将图像信号转换生成对应的器件的表面特征图像FigN,N取1至n,并传递并储存至信号处理系统,其中,第一个待测器件所对应的表面特征图像记为Fig1,第二个待测器件所对应的表面特征图像记为Fig2,以此类推,第n个待测的器件对应的表面特征图像记为FigN;信号处理系统提取图像处理系统传递来的器件的表面特征图像FigN,将白光光源和干涉显微镜移到器件上需要测量的位置并识别待测区域F1 、F2 、……、Fn;在步骤(3)中,白光光源通过干涉显微镜分成参考光束和测量光束,其中测量光束照射元器件表面,在表面形成反射再次通过干涉显微镜与参考光束形成干涉图像;该图像被图像处理系统采集,信号处理系统对采集的图像进行计算,显示输出系统显示照射区域的翘曲图像和数据,逐个进行扫描获得第N个器件的待测区域F1 、F2 、……、Fn的翘曲量并测算该区域翘曲度,获得翘曲度数值,依次为第N器件的第一扫描位置的翘曲度数值γ1、第二扫描位置的翘曲度数值γ2、……、第n扫描位置的翘曲度数值γn;上述n个区域扫描位置的翘曲度数值γ1、γ2、……γn存储在信号处理系统中等待调用;信号处理系统中按预设程序,设定待测区域F1 、F2 、……、Fn的翘曲度标准值L1、 L2、……Ln以及容差差值±S1、±S1、……±Sn;在步骤(4)中,智能判定系统将器件上待测区域F1 、F2 、……、Fn的翘曲度数值γ1、γ2、……γn与系统设定的翘曲度标准值L1、 L2、……Ln进行比对,若容差差值小于设定的容差差值±S1、 ±S1、……±Sn,则判定该处区域为合格,否则判定为不合格;器件盒中或集成电路中的所有待测元器件的待判定的位置翘曲度全部合格,则判定该器件或集成电路产品合格,否则,判定该器件或集成电路产品不合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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