[发明专利]一种晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法

摘要

一种晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法,属于磁性材料领域。低熔点金属为Ga,Zn,Sn中的一种,低熔点合金成份组成为R‑M,R为La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho,Y中的一种及以上，M为Cu,Al,Ga,Zn,Sn,Ag中的一种及以上。工艺步骤为先对钕铁硼磁体表面进行清洁处理，然后将磁体进行真空预热，再将其放入真空熔化的金属或合金熔液中进行热浸镀实现表面包覆，最后将经过热浸镀的钕铁硼磁体进行扩散热处理及后续退火处理，改善磁体的边界结构和晶界相分布,得到所需要的高矫顽力钕铁硼磁体。本发明磁体表面镀层均匀且结合强度高，有利于晶界扩散过程和磁体组织和性能的均匀性；同时可通过控制浸镀时间及取出速度灵活控制磁体表面附着层的厚度，避免扩散源金属或合金的浪费；此热浸镀工艺连续快速，适于大批量连续化生产。

主权项

一种晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征是利用热浸镀的方法在钕铁硼磁体的表面包覆一薄层低熔点金属或低熔点合金，之后经过扩散热处理，通过改善磁体的边界结构和晶界相分布获得高矫顽力钕铁硼磁体；具体工艺步骤如下：(1)磁体表面清洁处理；(2)将扩散源金属或合金真空加热至熔点以上10‑50℃熔化，并将磁体在接近熔体温度下真空预热；(3)将经过预热的磁体放入金属或合金熔体槽中进行热浸镀，取出冷却；(4)磁体浸镀后进行扩散热处理及退火热处理；(5)表面处理得到所需磁体。