[发明专利]一种L段型耐大电流聚光光伏电池芯片在审
申请号: | 201710130496.8 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN106784055A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 王永向 | 申请(专利权)人: | 成都聚合科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610207 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种L段型耐大电流聚光光伏电池芯片,属太阳能光伏发电技术领域,包括负电极段层,聚光光伏电池基材层,正电极层和有效面积,所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层,另一面覆上正电极层,所述负电极段层之外的部分为有效面积,该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量,这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本,随着透镜聚光倍数的增高,增大电极段宽度的同时,通过调整电极为电极段,保持了受光面积的不变性,达到聚光光伏系统整体的发电效率不减少,同时通过增大负电极段的长度、宽度和厚度,能保证在增大透镜的放大倍数之后,汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。 | ||
搜索关键词: | 一种 段型耐大 电流 聚光 电池 芯片 | ||
【主权项】:
一种L段型耐大电流聚光光伏电池芯片,其特征是,它包括负电极段层,聚光光伏电池基材层,正电极层和有效面积,所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层,另一面覆上正电极层,所述负电极段层之外的部分为有效面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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