[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710130767.X | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108574009B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法，所述鳍式场效应管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；形成覆盖所述伪栅极和所述鳍部的层间介质层；去除所述伪栅极，在层间介质层中形成开口；在所述开口中形成栅介质层；在所述栅介质层和所述层间介质层上形成阻挡层；去除位于层间介质层上的栅介质层和阻挡层；去除位于层间介质层上的栅介质层和阻挡层的步骤之后，进行退火处理；去除所述开口中的阻挡层；在所述开口中形成金属栅极。本发明形成的鳍式场效应管的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；形成覆盖所述伪栅极和所述鳍部的层间介质层；去除所述伪栅极，在层间介质层中形成开口；在所述开口中形成栅介质层；在所述栅介质层和所述层间介质层上形成阻挡层；去除位于层间介质层上的栅介质层和阻挡层；去除位于层间介质层上的栅介质层和阻挡层的步骤之后，进行退火处理；去除所述开口中的阻挡层；在所述开口中形成金属栅极。
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