[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710130943.X | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573865B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上具有若干相互分立的牺牲层，所述牺牲层的顶部表面具有刻蚀阻挡层，相邻牺牲层之间具有凹槽；在所述牺牲层和刻蚀阻挡层的侧壁形成侧墙；在所述刻蚀阻挡层和侧墙的顶部表面、以及凹槽中形成保护层；平坦化所述保护层、侧墙和刻蚀阻挡层直至暴露出牺牲层的顶部表面；平坦化所述保护层、侧墙和刻蚀阻挡层后，去除所述保护层和牺牲层；去除所述保护层和牺牲层后，以所述侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。所述方法使得半导体器件中图案的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上具有若干相互分立的牺牲层，所述牺牲层的顶部表面具有刻蚀阻挡层，相邻牺牲层之间具有凹槽；在所述牺牲层和刻蚀阻挡层的侧壁形成侧墙；在所述刻蚀阻挡层和侧墙的顶部表面、以及凹槽中形成保护层；平坦化所述保护层、侧墙和刻蚀阻挡层直至暴露出牺牲层的顶部表面；平坦化所述保护层、侧墙和刻蚀阻挡层后，去除所述保护层和牺牲层；去除所述保护层和牺牲层后，以所述侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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