[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 201710130992.3 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106876451A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨清斗;王质武 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的有源层、栅电极、源电极和漏电极，其中，所述源电极和漏电极相互间隔设置，所述源电极与所述有源层之间以及所述漏电极与所述有源层之间分别设置有导电碳膜，所述源电极和所述漏电极通过所述导电碳膜分别电性连接至所述有源层，所述源电极和所述漏电极的材料为金属铜。本发明还公开了如上所述薄膜晶体管的制备方法以及包含如上所述薄膜晶体管的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的有源层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述源电极和漏电极相互间隔设置，所述源电极与所述有源层之间以及所述漏电极与所述有源层之间分别设置有导电碳膜，所述源电极和所述漏电极通过所述导电碳膜分别电性连接至所述有源层，所述源电极和所述漏电极的材料为金属铜。
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