[发明专利]包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件有效
| 申请号： | 201710131889.0 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107180872B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | R·西明耶科;D·彼得斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件。一种半导体器件(500)包括在得自碳化硅的半导体部分(100)中的晶体管单元(TC)，其中晶体管单元(TC)电连接到栅极金属化部(330)、源电极(310)和漏电极(320)。半导体器件(500)还包括在半导体部分(100)中的掺杂区域(180)。掺杂区域(180)电连接到源电极(310)。掺杂区域(180)的电阻具有负的温度系数。层间电介质(210)将栅极金属化部(330)与掺杂区域(180)分离。半导体部分(100)中的漏极结构(120)将晶体管单元(TC)与漏电极(320)电连接，并且与掺杂区域(180)形成pn结(pnx)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 晶体管 单元 补偿 结构 宽带 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管单元(TC)，其形成在得自宽带隙材料的半导体部分(100)中并且电连接到栅极端子(G)、源极端子(S)和漏极端子(D)；以及补偿结构(450)，其与所述源极端子(S)和所述漏极端子(D)中的至少一个以及所述栅极端子(G)电连接，其中所述补偿结构(450)的有效电容具有至少部分地对所述晶体管单元(TC)的栅漏电容与栅源电容之间的比率的温度系数进行补偿的温度系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710131889.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
