[发明专利]用于形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和其制造方法在审
| 申请号： | 201710132348.X | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107424910A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 中村有希;植田尚之;安部由希子;曾根雄司 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，所述涂布液包含无机铟化合物；无机镁化合物和无机锌化合物的至少一种；和二醇醚。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 金属 氧化物 薄膜 涂布液 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，所述涂布液包含：无机铟化合物；无机镁化合物和无机锌化合物的至少一种；和二醇醚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
