[发明专利]一种发酵生产庆大霉素C1a的工艺方法在审

专利信息
申请号: 201710133480.2 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN106801076A 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 程国政 申请(专利权)人: 河南仁华生物科技有限公司
主分类号: C12P19/48 分类号: C12P19/48;C12N1/20;C12R1/29
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 代理人: 程茗
地址: 467500 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种发酵生产庆大霉素C1a的工艺方法,属于发酵工程技术领域,该方法包括孢子培养、种液制备、一级种子培养、二级种子培养、发酵生产和补料控制集中工艺手段,其中,本发明主要提供了一级种子培养基、二级种子培养基和发酵培养基的成分及配比,同时在补料控制阶段进行补糖、补水、补消泡剂、补碱和补氮操作,并分别对补料时间、补料成分及补料量加以控制。该方法依赖高效、低成本发酵生产庆大霉素C1a的培养基,在发酵过程中进行工艺控制,提高了发酵单位,产量提高了43%,同时最大限度降低了生产成本,是庆大霉素C1a生产中是十分实用的。
搜索关键词: 一种 发酵 生产 庆大霉素 c1a 工艺 方法
【主权项】:
一种发酵生产庆大霉素C1a的工艺方法,包括孢子培养、种液制备、一级种子培养、二级种子培养、发酵生产和补料控制的步骤,其特征在于:所述一级种子培养所用培养基为一级种子培养基,其组分及质量百分数如下:可溶性淀粉0.8%‑2.0%、玉米粉1%‑3%、甘氨酸 0.3%‑1.2%、谷氨酸0.8%‑2.0%、烟酰胺1.5%‑3.0%、葡萄糖1.0%‑3%、磷酸二氢钾0.05%‑0.5%、硝酸钾0.01%‑0.5%、碳酸钙0.4%‑1.0%、氯化钴0.001%‑0.005%、氯化钙0.01%‑0.05%、泡敌0.01%‑0.05%和消沫剂0.01‑0.05%,其余为水;所述二级种子培养所用培养基为二级种子培养基,其组分及质量百分数如下:可溶性淀粉1%‑4%、玉米粉1%‑3%、烟酰胺 1.5%‑3.0%、酵母粉 1.0%‑5.0%、葡萄糖1.0%‑3%、硝酸钾0.01%‑0.5%、碳酸钙0.4%‑1.0%、氯化钴0.001%‑0.005%、氯化钙0.01%‑0.05%、泡敌0.01%‑0.05%和消沫剂0.01%‑0.05%,其余为水;所述发酵生产所用培养基为发酵培养基,其组分及其质量百分数如下:可溶性淀粉1%‑4%、玉米粉1%‑3%、甘氨酸0.3%‑1.2%、谷氨酸 0.8%‑2.0%、烟酰胺 1.5%‑3.0%、酵母粉1.0%‑5.0%、葡萄糖1%‑3%、硝酸钾0.01%‑0.5%、碳酸钙0.4%‑1.0%、氯化钴0.001%‑0.005%、氯化钙0.01%‑0.05%、泡敌0.01%‑0.05%和消沫剂0.01‑0.05%,其余为水;所述补料控制是在发酵生产过程中进行补糖、补水、补消泡剂、补碱和补氮操作:补糖控制:全程还原糖浓度控制在1‑20g/L,从发酵开始至60h,当还原糖浓度低于5g/L时开始补糖,补糖量=;发酵60h后当还原糖浓度低于5g/L时,补糖量=;放罐前4h停止补糖;补水控制:发酵前50h不补水,50h后黏度达到2000cp时开始补水,补水按照流加方式补入,黏度低于2000cp时停止补水;补消泡剂控制:一次性补入1‑5L无菌消泡剂;补碱控制:当pH低于6.5时开始补碱,采用流加方式维持pH在6.5‑7.5之间;补氮控制:当氨态氮浓度低于1mg/L时开始补氮,达到5mg/L停止补氮。
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