[发明专利]垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710134554.4 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108574011A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;郑芳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 陈蕾 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件，包括多个垂直超结双扩散金属氧化物半导体单元，所述垂直超结双扩散金属氧化物半导体单元包括：衬底；第一型外延层，形成于所述衬底的一侧；第二型外延层，形成于所述第一型外延层中，且所述第二型外延层的宽度朝远离所述衬底的方向逐渐增大。通过本发明的技术方案，本发明通过将P型外延层的宽度设置为朝远离衬底的方向逐渐增大，可以降低Qp/Qn的变化对击穿电压的影响，提高半导体器件的电学性能。并且在相同击穿电压下，Qp/Qn可以更大的范围内变化，因此对于制作工艺的要求就相对简单，易于降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 超结 衬底 垂直 双扩散金属氧化物半导体器件 双扩散金属氧化物半导体 击穿电压 逐渐增大 半导体器件 电学性能 宽度设置 制作工艺 制作 | ||
【主权项】：
1.一种垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件，包括多个垂直超结双扩散金属氧化物半导体单元，其特征在于，所述垂直超结双扩散金属氧化物半导体单元包括：衬底；第一型外延层，形成于所述衬底的一侧；第二型外延层，形成于所述第一型外延层中，且所述第二型外延层的宽度朝远离所述衬底的方向逐渐增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710134554.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：超结VDMOS器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
