[发明专利]半导体存储器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件及其制作方法，所述制作方法包括提供一半导体衬底，其形成有有源区、沟槽隔离结构、沟槽状的晶体管字线以及鳍状的位线；于各位线表面形成绝缘层，于各位线之间形成接触窗并填充导电材料；于各沟槽隔离结构上方的导电材料中制作出第一空气仓，采用沉积工艺于所述第一空气仓中填充绝缘材料，控制所述沉积工艺于所述绝缘材料中形成孔洞；于各位线与导电材料之间制作出第二空气仓，采用沉积工艺于所述第二空气仓中填充绝缘材料，控制所述积工艺于所述绝缘材料中形成孔洞。本发明可大大改善了动态随机存储器读写程序中信号延迟失效问题，并可延长位线设计长度极限，以在单位面积内布局更多电容。

主权项

一种半导体存储器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有有源区、隔离各有源区的沟槽隔离结构、字线以及鳍状的位线；于各位线表面形成绝缘层，于各位线之间形成接触窗并填充导电材料；于各沟槽隔离结构上方的导电材料中制作出第一空气仓，采用沉积工艺于所述第一空气仓中填充第一绝缘材料，同时通过控制所述沉积工艺于所述第一绝缘材料中形成第一孔洞；以及于各位线与导电材料之间制作出第二空气仓，采用沉积工艺于所述第二空气仓中填充第二绝缘材料，同时通过控制所述积工艺于所述第二绝缘材料中形成第二孔洞。