[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710134634.X | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106848015B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;王星河;叶芳;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 王星河 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362343 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，其公开的一种氮化物半导体发光二极管中，在图形化衬底的图形之间具有N个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层，周期N≥1，所述V形坑层的V形坑斜面为（10‑10）晶面，V形坑之间的平面为（0001）面，每一个周期V形坑层的材料为InxGa1‑xN/GaN(0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：包括图形化衬底、V形坑控制层、在图形化衬底的图形之间至少具有一个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层、缓冲层、第一导电型的第一半导体层、有源发光层和第二导电型的第二半导体层；所述V形坑层的材料为InxGa1‑xN/GaN组合，且0
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