[发明专利]三维存储器及其通道孔结构的形成方法

摘要

本发明实施例公开了一种三维存储器及其通道孔结构的形成方法，通过第一通孔和第二通孔两次通孔形成工艺来形成所述三维存储器中的通道孔结构，大大降低了所述通道孔结构的工艺难度和成本，解决了在相同口径下，通孔深宽比过大导致的工艺难度大和成本高的问题，同时也降低了所述三维存储器的制作工艺难度和成本。

主权项

1.一种三维存储器中通道孔结构的形成方法，其特征在于，该方法包括：提供基底，所述基底表面形成有第一堆叠层和第一绝缘连接层，所述第一堆叠层由多个交错叠加的氧化层和氮化层构成；形成完全贯穿所述第一堆叠层和所述第一绝缘连接层，并延伸至所述基底表面内的第一通孔；在第一通孔曝露的所述基底表面形成第一通道结构；在所述第一通孔侧壁形成第一功能层；在所述第一功能层侧壁和所述第一通道结构表面依次形成第二通道结构和第一填充结构，所述第二通道结构和所述第一填充结构的表面低于所述第一绝缘连接层表面；在所述第一绝缘连接层内形成第一凹槽，所述第一凹槽在所述基底上的投影完全覆盖所述第一通孔在所述基底上的投影；在所述第一凹槽内形成第三通道结构，所述第三通道结构与所述第二通道结构相接触；在所述第三通道结构背离所述基底一侧依次形成第二堆叠层和第二绝缘连接层，所述第二堆叠层由多个交错叠加的氧化层和氮化层构成；形成完全贯穿所述第二堆叠层和所述第二绝缘连接层，并延伸至所述第三通道结构表面内的第二通孔，所述第二通孔在所述基底上的投影与所述第一通孔在所述基底上的投影至少部分交叠；在所述第二通孔侧壁形成第二功能层；在所述第二功能层侧壁和所述第二通孔底部表面依次形成第四通道结构和第二填充结构，所述第二填充结构的表面低于所述第四通道结构的表面；在所述第四通道结构和所述第二填充结构形成的第二凹槽内形成第五通道结构，所述第五通道结构与所述第四通道结构相接触。