[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND存储器件及其制造方法，通过在半导体阻挡层与栅线缝隙的一端形成第一连接件的同时，对所述堆叠层的阶梯结构上也形成第一连接件，并在绝缘环内的堆叠层中形成贯通接触孔的同时在所述堆叠层的阶梯结构上形成第二连接件，然后第一连接件以及第二连接件同时打孔，使得所述第一金属层中的多个所述第一金属分别通过所述过孔与所述第一连接件以及第二连接件电连接。可见，本方案提供的3D NAND存储器件的制作工艺一次成形，简化了后端金属连线工艺的复杂度，并无需额外占用外围电路引线，缩小了3D NAND存储器件的尺寸。

主权项

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：基底；所述基底上的堆叠层，所述堆叠层至少有一侧为阶梯结构，所述堆叠层包括沿字线方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域；其中，所述第二区域位于所述第一区域和第三区域之间，所述第二区域中形成有贯通的绝缘环，所述绝缘环内的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层，所述绝缘环内的堆叠层中形成有贯通接触孔；所述绝缘环外的第二区域以及第一区域、第三区域的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述第一区域和第三区域中形成有用于形成存储器件的沟道孔，所述第一区域、所述绝缘环外的第二区域和所述第三区域中形成有用于划分块存储区的栅线缝隙；所述沟道孔的顶部形成阻挡层，所述阻挡层与所述栅线缝隙的一端以及所述堆叠层的阶梯结构上均形成第一连接件，多个所述第一连接件分别通过过孔与第一金属相连，所述第一金属作为所述存储器件的位线。