[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND存储器件，包括：基底；基底上的第一存储区，第一存储区包括字线堆叠层以及字线堆叠层中的沟道孔，字线堆叠层的侧壁为阶梯结构；在阶梯结构中具有子阶梯区域，子阶梯区域为氧化物层和氮化物层的叠层，子阶梯区域沿字线方向延伸至阶梯结构的边缘，在子阶梯区域与阶梯结构相接的侧壁上设置有绝缘层；在子阶梯区域中设置有贯通接触孔；子阶梯区域之外的阶梯结构中的栅线缝隙。这种结构的贯通接触孔便于实现存储器件同CMOS芯片的连接，且易于同现有的工艺集成，特别是当堆叠层的厚度不断增加后，无需刻蚀金属堆叠来形成贯通接触孔，利于工艺的实现和集成度的不断提高。

主权项

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：基底；基底上的第一存储区，第一存储区包括字线堆叠层以及字线堆叠层中的沟道孔，字线堆叠层的侧壁为阶梯结构；在阶梯结构中具有子阶梯区域，子阶梯区域为氧化物层和氮化物层的叠层，子阶梯区域沿字线方向延伸至阶梯结构的边缘，在子阶梯区域与阶梯结构相接的侧壁上设置有绝缘层；在子阶梯区域中设置有贯通接触孔；子阶梯区域之外的阶梯结构中的栅线缝隙。