[发明专利]图案化掩膜版、其制备方法及使用其进行激光剥离的方法有效
申请号: | 201710135335.8 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN106910678B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 黄永安;卞敬;万晓东;丁亚江;肖琳 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 周磊;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于电子器件制备工艺领域,并公开了一种图案化掩膜版的制备方法,包括以下步骤:1)在透明基板的第一表面上沉积一层吸光材料层并图案化;2)在透明基板的第二表面上旋涂聚合物材料层;3)用激光照射透明基板的第一表面,该透明基板上被吸光材料覆盖的区域,激光能量未达到聚合物材料烧蚀阈值,聚合物得以保留;而透明基板上未被吸光材料覆盖的区域的聚合物会被激光烧蚀,聚合物材料层被烧蚀后实现图案化,并且图案的形状与透明基板的第一表面沉积的吸光材料的形状一致,从而形成所述图案化掩膜版。本发明可以实现对激光剥离后的界面粘附强度调控,通过控制剥离后的界面粘附强度,使大面积柔性超薄器件剥离后依然粘附在刚性衬底上。 | ||
搜索关键词: | 图案 化掩膜版 制备 方法 使用 进行 激光 剥离 | ||
【主权项】:
1.一种图案化掩膜版的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在透明基板的第一表面的部分区域上沉积一层吸光材料,则形成吸光材料层,该吸光材料层能让激光透过,激光穿透该吸光材料层后,会有一部分能量被吸光材料层吸收,吸收能量大小通过吸光材料层的厚度来控制;2)在透明基板上与第一表面相对的第二表面上旋涂并涂满能与激光发生作用的聚合物材料,则形成聚合物材料层,该聚合物材料层能被设定波长的激光烧蚀,该聚合物材料层的厚度与其烧蚀率决定了其能够阻挡激光的次数,也即其调控激光照射次数的能力;3)用设定波长的激光朝透明基板的第一表面照射并让透明基板与激光有相对移动,则激光会透过吸光材料和透明基板照射到聚合物材料层上,该透明基板上被吸光材料覆盖的区域,激光能量未达到聚合物材料烧蚀阈值,聚合物材料得以保留;而透明基板上未被吸光材料覆盖的区域对应的聚合物材料会被激光烧蚀;则通过对聚合物材料层的烧蚀,能使聚合物材料层实现图案化,并且图案的形状与透明基板的第一表面沉积的吸光材料的形状一致,从而形成所述图案化掩膜版。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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