[发明专利]PWM变流系统的IGBT开关瞬间浪涌抑制装置及方法

摘要

本发明提供了PWM变流系统的IGBT开关瞬间浪涌抑制装置及方法，所述方法步骤：获得杂散电感提取时间段t₁‑t₂的PWM变流系统的总杂散电感值L_Total；基于总杂散电感值L_Total和PWM变流系统的特性构建IGBT等效电路模型，IGBT等效电路模型包括用于抑制IGBT开关瞬间浪涌的无感吸收薄膜电容C_Snubber；基于IGBT等效电路模型获得PWM变流系统的直流母线杂散电感值L_DC‑Link；根据直流母线杂散电感值L_DC‑Link、IGBT的浪涌电压变化预设值ΔV₂及IGBT的工作电流I_C获得无感吸收薄膜电容C_Snubber的电容值，以通过所述无感吸收薄膜电容C_Snubber抑制IGBT开关瞬间浪涌。本发明的PWM变流系统的IGBT开关瞬间浪涌抑制装置及方法可有效抑制IGBT开关瞬间的浪涌。

主权项

1.PWM变流系统的IGBT开关瞬间浪涌抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：对IGBT开通瞬态过程的各个阶段进行区分，将IGBT的电流IC的电流值从零经稳态电流值ILoad增加至峰值的时间段设为杂散电感提取时间段t1‑t2，并获得所述杂散电感提取时间段t1‑t2的PWM变流系统的总杂散电感值LTotal，其中，t1、t2表示时刻；基于所述总杂散电感值LTotal和PWM变流系统的特性构建IGBT等效电路模型，所述IGBT等效电路模型包括用于抑制IGBT开关瞬间浪涌的无感吸收薄膜电容CSnubber；基于所述IGBT等效电路模型获得PWM变流系统的直流母线杂散电感值LDC‑Link；根据所述直流母线杂散电感值LDC‑Link、IGBT的浪涌电压变化预设值ΔV2及IGBT的电流IC获得无感吸收薄膜电容CSnubber的电容值，以通过所述无感吸收薄膜电容CSnubber抑制IGBT开关瞬间浪涌；其中，所述IGBT的浪涌电压变化预设值ΔV2为预设的IGBT开关瞬间第二次浪涌的IGBT的集电极发射极极间电压VCE的变化值。