[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201710136037.0 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107170863B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林政宏;黄政杰;黄吉豊 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体结构，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一发光层以及一空穴提供层。发光层配置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。空穴提供层配置于发光层与第二型半导体层之间，且空穴提供层包括一第一空穴提供层以及一第二空穴提供层。第一空穴提供层配置于发光层与第二空穴提供层之间，且第一空穴提供层的化学通式为Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一型半导体层；一第二型半导体层；一发光层，配置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；以及一空穴提供层，配置于所述发光层与所述第二型半导体层之间，且所述空穴提供层包括一第一空穴提供层以及一第二空穴提供层，所述第一空穴提供层配置于所述发光层与所述第二空穴提供层之间，且所述第一空穴提供层的化学通式为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，其中0≤x1<0.4，0≤y1<0.4，而所述第二空穴提供层配置于所述第一空穴提供层与所述第二型半导体层之间，且所述第二空穴提供层的化学通式为Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中0≤x2<0.4，0≤y2<0.4，且x1>x2。
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