[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件有效
| 申请号： | 201710137017.5 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106898652B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;张凯;孙涛;葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种碳化硅VDMOS器件。相比于传统结构，本发明的主要创新在于JFET区采用变化横向掺杂的方法。传统的平面栅碳化硅VDMOS为了降低器件导通状态下的JFET区电阻，常常整体提高JFET区的掺杂剂量，然而过高的JFET区掺杂在器件耐压时会导致栅氧化层中心处电场过高而击穿。本发明在JFET区采用变化横向掺杂的方法，JFET区的掺杂剂量由靠近p阱处向远离p阱处递减。器件导通时，导通电阻降低；耐压时，JFET区中心处由于低掺杂而降低栅氧化层电场尖峰，两侧的高掺杂部分抬高两侧栅氧化层原本较低的电场，栅氧化层中的电场沿横向分布更加均匀。JFET区变化掺杂的方法可有效降低器件导通电阻，同时在掺杂优化区间内不影响器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅VDMOS器件，包括栅极结构、源极结构、漏极结构、漂移区(7)和JFET区(8)；其中漂移区(7)位于漏极结构之上，源极结构位于漂移区(7)之上，源极结构之间形成N型JFET区(8)；所述源极结构包括P型阱区(3)以及位于P型阱区上部的N型源区(4)和P型体接触区(5)，所述N型源区(4)和P型体接触区(5)共同引出端为源极；N型源区(4)远离P型体接触区(5)一侧与P型阱区(3)边缘之间形成沟道区；所述栅极结构覆盖于沟道区和JFET区(8)之上，所述栅极结构包括栅绝缘层(1)和位于栅绝缘层上的多晶硅或金属栅区(2)，所述多晶硅或金属栅区(2)引出端为栅极；所述漏极结构位于漂移区之下，包括N型漏区(6)，所述N型漏区(6)引出端为漏极；其特征是：所述JFET区(8)的掺杂剂量从JFET区(8)和P型阱区(3)的接触面到JFET区(8)的中部逐渐降低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710137017.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
