[发明专利]太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710137086.6 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106887335B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 汤本彻;平野稔幸;泽村享广;渡边明 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法，其能够利用非真空体系工艺进行制造、能够表现出更优异的光电转换效率。一种太阳能电池，其至少具有第一半导体层(140)和第二半导体层(130)，第一半导体层(140)是包含平均粒径为1nm以上500nm以下的金属氧化物颗粒和相对介电常数为2以上的化合物的层。例如，第一半导体层(140)中的化合物是相对介电常数为2以上1000以下的有机化合物，第一半导体层(140)中的有机化合物的含量为10质量％以上90质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其至少具有第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层是包含平均粒径为1nm以上500nm以下的金属氧化物颗粒和相对介电常数为5以上的有机化合物的层，所述金属氧化物颗粒为选自氧化铜(I)、氧化铜(II)、氧化铁、氧化锌、氧化银、氧化钛、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡、掺杂氟的氧化锡(FTO)、氧化铟、铟镓锌氧化物、氧化镍、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaCuOS、LaCuOSe、CuInO2、ZnRh2O4、12CaO·7Al2O3(C12A7)、Ga2O3中的一种以上的金属氧化物颗粒，所述有机化合物为选自含氰乙基的有机化合物中的一种以上的有机化合物。
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