[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种制造半导体装置的方法，包含：接收半导体结构，其具有晶片区域、围绕晶片区域的密封环区域及围绕密封环区域定义的切割区域，半导体结构包含于晶片区域内的半导体晶片；以及模塑化合物设置围绕半导体晶片且分布于晶片区域、密封环区域及切割区域内；形成绝缘膜于半导体结构的晶片区域及半导体结构的密封环区域上；形成密封环于半导体结构的密封环区域上且侧向邻接绝缘膜，其中密封环具有侧表面背对绝缘膜；以及形成保护层，其定义出位于密封环的侧表面上方的平滑斜侧表面。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：接收一半导体结构，该半导体结构具有一晶片区域、围绕该晶片区域的一密封环区域及围绕该密封环区域定义的一切割区域，该半导体结构包含：一半导体晶片，位于该晶片区域内；以及一模塑化合物，设置围绕该半导体晶片且分布于该晶片区域、该密封环区域及该切割区域内；形成一绝缘膜于该半导体结构的该晶片区域及该半导体结构的该密封环区域上；形成一密封环于该半导体结构的该密封环区域上且侧向邻接该绝缘膜，其中该密封环具有一露出侧表面背对该绝缘膜；以及形成一保护层，其定义出位于该密封环的该露出侧表面上方的一大致平滑斜侧表面。