[发明专利]一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201710137611.4 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106910675A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 罗睿宏;梁智文;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 罗晓林,杨桂洋 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括硅衬底、氮化铝层和图形化介质膜，氮化铝层制备在硅衬底上，图形化介质膜制备在氮化铝层上，该图形化介质膜具有若干个，并且相邻的图形化介质膜之间具有间隔间隙，图形化介质膜的图形化为圆形、三角形、多边形或者条纹状，图形化介质膜由二氧化硅、氮化硅、氮化钛、金属介质层或多晶氧化铝制成。本发明解决了氮化物电子功率器件异质生长中遇到的应力问题，有利于提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 氮化物 电子器件 复合 衬底 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括硅衬底、氮化铝层和图形化介质膜，氮化铝层制备在硅衬底上，图形化介质膜制备在氮化铝层上，该图形化介质膜具有若干个，并且相邻的图形化介质膜之间具有间隔间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
