[发明专利]一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201710137877.9 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108573853B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 唐军;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长工艺，生长工艺包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面制作出多个凹坑；S2：在所述Si衬底表面上形成AlN薄膜，使所述AlN薄膜填充满所述凹坑；S3：在所述AlN薄膜表面上生长AlGaN过渡层；S4：在所述AlGaN过渡层表面上生长GaN耐压层；S5：在所述GaN耐压层表面上生长AlN插入层；S6：在所述AlN插入层表面上生长InAlN势垒层；S7：在所述InAlN势垒层表面上生长GaN盖层。本发明获得的具有InAlN结构的势垒层的HEMT器件外延结构不仅具有高的迁移率，并且具有显著提高的高频、高功率器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基HEMT器件外延结构的生长方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面制作出多个凹坑；S2：在所述Si衬底表面上形成AlN薄膜，使所述AlN薄膜填充满所述凹坑；S3：在所述AlN薄膜表面上生长AlGaN过渡层；S4：在所述AlGaN过渡层表面上生长GaN耐压层；S5：在所述GaN耐压层表面上生长AlN插入层；S6：在所述AlN插入层表面上生长InAlN势垒层；S7：在所述InAlN势垒层表面上生长GaN盖层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710137877.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
