[发明专利]一种太阳电池结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710138427.1 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107068779B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;高兵;赵影文;刘宗涛;邱开富;蔡伦 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 510006 广东省广州市大学城外环东路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳电池结构及其制备方法，该太阳电池结构包括：由下往上依次堆叠的P型层和N型层，从而构成PN结发射极；P型层的正面和N型层的背面相接触；在N型层的正面从下往上依次设置的透明导电层和阴电极；在P型层的背面依次形成有氧化物半导体钝化层和背电极。本发明消除了P型层背面缺陷，有效减少了P型层背面界面处的复合中心，并且，氧化物半导体钝化层降低了P型层和背电极之间的接触电阻，使得P型层与背电极形成良好的欧姆接触，提高了太阳电池的填充因子，进而提高了电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池结构，包括：由下往上依次堆叠的P型层和N型层，从而构成PN结发射极；P型层的正面和N型层的背面相接触；在N型层的正面从下往上依次设置的透明导电层和阴电极；以及在P型层的背面的背电极；其特征在于，在P型层的背面和背电极之间形成有氧化物半导体钝化层；其中，所述氧化物半导体钝化层由球状氧化物纳米晶粒构成的连续薄膜层；所述氧化物半导体钝化层中，位于氧化物半导体钝化层表层的球状氧化物纳米晶粒的直径小于氧化物半导体钝化层中心区域的球状氧化物纳米晶粒的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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