[发明专利]一种用于室温H2S气敏传感材料氧化镍及其制备方法在审
| 申请号： | 201710139718.2 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106865628A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨颖;刘文燚;董相廷 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于室温H2S气敏传感纳米材料氧化镍及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括两个步骤(1)采用水热法制备氢氧化镍中间体；(2)将制备的氢氧化镍中间体至于马弗炉中煅烧，得到氧化镍(NiO)纳米材料。所制备的氧化镍气敏传感纳米材料为P型半导体，具有新颖的多级纳米花状结构，在室温条件下对H2S气体具有高度选择性，高灵敏度，快速响应的特点。该材料在室温下对97.0ppm H2S有良好的气敏响应，灵敏度可达到8.8，响应时间为3.5s，且最低检测限为0.485ppm，本发明的方法简单易行，可以批量生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 室温 h2s 传感 材料 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于室温H2S气敏传感材料氧化镍，其特征在于，该材料为三维多级纳米花结构，将氧化镍纳米材料组装成气敏元件，进行气敏性能测试，室温条件下对H2S气体具有高度选择性，高灵敏度，快速响应，该材料在室温下对97.0ppm H2S有良好的气敏响应，灵敏度可达到8.8，响应时间为3.5s，且对H2S气体具有高度的选择性。
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