[发明专利]超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法及其生长腔室结构在审
| 申请号： | 201710140034.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106876258A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 韩景瑞;孙国胜;杨旭腾;张新河;孔令沂;李锡光;萧黎鑫 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/67;C23C16/32;C23C16/455;C23C16/54 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法及其生长腔室结构。该超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法在常规的LPCVD外延生长源主进气管路额外增加两个侧进气管路，通过调节两个侧进气管路通入的生长源种类与通入量的大小，结合旋转托盘结构，来调节整个大面积SiC外延层上氛围中的生长源分布，从而调节反应腔室内氛围中的生长源的比例，以调整大面积SiC外延层掺杂浓度与厚度均匀性。本发明超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法能够对大面积SiC外延的生长厚度均匀性进行控制，从而提升大面积SiC外延层生长厚度均匀性，还可对大面积SiC外延层的掺杂均匀性进行控制，从而提升大面积SiC外延层掺杂浓度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 均匀 大面积 sic 外延 制备 方法 及其 生长 结构 | ||
【主权项】：
超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法，其特征在于：该方法在常规的LPCVD外延生长源主进气管路额外增加两个侧进气管路，通过调节两个侧进气管路通入的生长源种类与通入量的大小，结合旋转托盘结构，来调节整个大面积SiC外延层上氛围中的生长源分布，从而调节反应腔室内氛围中的生长源的比例，以调整大面积SiC外延层掺杂浓度与厚度均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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