[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201710140190.0 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107833592B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 清水孝洋;柴田升;前嶋洋 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/10;G11C16/14 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供一种能够使动作高速化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第一及第二平面、以及第一及第二控制电路。在第一及第二控制电路分别为有效状态及闲置状态时,在接收到第一指令集的情况下,第一控制电路执行相对于第一平面的第一读出动作。在接收到第二指令集的情况下,第一控制电路执行相对于第二平面的第二读出动作。在接受到不包含在所述第一及第二指令集的任一者中的第一指令且依次接收到第一及第二指令集的情况下,第二控制电路从闲置状态过渡至有效状态,在第一控制电路执行第一读出动作的期间开始第二读出动作。 | ||
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【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于具备:第一及第二平面,分别包含存储单元阵列;以及第一及第二控制电路,能够分别对所述第一及第二平面执行读出动作;且所述第一及第二控制电路包含能够执行所述读出动作的有效状态、及禁止所述读出动作的执行的闲置状态,在所述第一控制电路为所述有效状态,且所述第二控制电路为所述闲置状态时,在接收到第一指令集的情况下,所述第一控制电路执行相对于所述第一平面的第一读出动作,在接收到第二指令集的情况下,所述第一控制电路执行相对于所述第二平面的第二读出动作,在接收到不包含在所述第一及第二指令集的任一者中的第一指令,且依次接收所述第一及第二指令集的情况下,所述第二控制电路从所述闲置状态过渡至所述有效状态,在所述第一控制电路执行所述第一读出动作的期间,所述第二控制电路开始所述第二读出动作。
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