[发明专利]半导体封装结构的制造方法在审
| 申请号： | 201710140203.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108122788A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吴集锡;陈宪伟;黄立贤;杨天中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体封装结构的制造方法至少包括以下步骤。形成第一半导体装置。第一半导体装置包括顶表面及底表面。第一半导体装置包括金属层，且金属层具有暴露出的第一表面。在第一半导体装置的顶表面及侧壁上形成电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)膜，且电磁干扰膜与金属层的暴露出的第一表面电接触。在电磁干扰膜上形成模制化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 金属层 半导体封装结构 电磁干扰膜 第一表面 顶表面 模制化合物 电磁干扰 电接触 暴露 侧壁 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：形成第一半导体装置，其中所述第一半导体装置包括顶表面及底表面，其中所述第一半导体装置包括金属层，且所述金属层具有暴露出的第一表面；在所述第一半导体装置的所述顶表面及侧壁上形成电磁干扰膜，其中所述电磁干扰膜与所述金属层的所述暴露出的第一表面电接触；以及在所述电磁干扰膜上形成模制化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
