[发明专利]存储器设备

摘要

实施方式提供一种能够提升动作特性的存储器设备。实施方式的存储器设备包含第一半导体部上的第一存储单元及第一晶体管、第二半导体部上的第二存储单元及第二晶体管、第一与第二半导体部的交界区域内的第三晶体管、第三半导体部上的第三存储单元及第四晶体管、第四半导体部上的第四存储单元及第五晶体管、以及第三与第四半导体部的交界区域内的第六晶体管。在期间(TA)，对第一至第四晶体管的各自的选择线(SGD‑S、SGS‑S、SGM‑S、SGD‑US)施加接通电压，对第五及第六晶体管的各自的选择线(SGM‑US、SGS‑US)施加断开电压，在期间(TC)，对选择线(SGD‑US、SGM‑US、SGS‑US)施加断开电压，判定字线(WL‑S)的第一存储单元的阈值电压。

主权项

一种存储器设备，其特征在于具备：第一存储器，包含：第一存储单元，设置在半导体层上方的第一半导体部上；第二存储单元，设置在所述半导体层与所述第一半导体部之间的第二半导体部上；第一选择晶体管，在所述第一存储单元上方设置在所述第一半导体部上；第二选择晶体管，在所述第二存储单元下方设置在所述第二半导体部上；及第三选择晶体管，在所述第一及第二半导体部的交界区域设置在所述第一或第二半导体部上；第二存储器，包含：第三存储单元，设置在所述半导体层上方的第三半导体部上；第四存储单元，设置在所述半导体层与所述第三半导体部之间的第四半导体部上；第四选择晶体管，在所述第三存储单元上方设置在所述第三半导体部上；第五选择晶体管，在所述第四存储单元下方设置在所述第四半导体部上；及第六选择晶体管，在所述第三及第四半导体部的交界区域设置在所述第三或第四半导体部上；第一字线，连接于所述第一及第三存储单元；第二字线，连接于所述第二及第四存储单元；第一选择栅极线，连接于所述第一选择晶体管；第二选择栅极线，连接于所述第二选择晶体管；第三选择栅极线，连接于所述第三选择晶体管；第四选择栅极线，连接于所述第四选择晶体管；第五选择栅极线，连接于所述第五选择晶体管；及第六选择栅极线，连接于所述第六选择晶体管；在与所述第一存储单元的阈值电压相关的第一判定动作时，在所述第一判定动作的第一期间，对所述第一、第二、第三及第四选择栅极线施加用于使所述第一至第六选择晶体管接通的第一电压，对所述第五及第六选择栅极线施加用于使所述第一至第六选择晶体管断开的第二电压，在所述第一期间后的第二期间，对所述第四、第五及第六选择栅极线施加所述第二电压，对所述第一字线施加第一判定电压，判定所述第一存储单元的阈值电压。