[发明专利]一种p-i-n型硒化锑太阳电池有效
| 申请号： | 201710140918.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106898662B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李志强;郭玉婷;麦耀华;朱红兵;陈静伟 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/075 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 白利霞;苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p‑i‑n型硒化锑薄膜太阳电池，该太阳电池从上到下主要的结构依次为：顶电极层、p型硒化锑半导体层、本征半导体i型层、n型硒化锑半导体层以及底电极层。本发明提供的太阳电池的结构可以减少pn界面的晶格失配度，减少因界面缺陷密度高带来的高复合率；同时在同质硒化锑pn结中插入本征半导体i型层，能够使内建场在本征半导体i型层扩展，利于实现光生载流子电荷的分离，增大了光生载流子的收集效率，从而提高了太阳电池的性能，其制备工艺简单，适于工业化生产及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化锑 本征半导体 光生载流子 半导体层 薄膜太阳电池 晶格失配度 从上到下 底电极层 顶电极层 界面缺陷 收集效率 制备工艺 电荷 高复合 内建 同质 应用 | ||
【主权项】：
1.一种p‑i‑n型硒化锑太阳电池，其特征在于，该太阳电池从上到下的主要结构依次为顶电极层、p型硒化锑半导体层、本征半导体i型层、n型硒化锑半导体层以及底电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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