[发明专利]制造集成电路的方法

摘要

一种制造集成电路的方法，包含使用标准元件在基板上定义多层半导体装置结构；在半导体装置结构的金属‑氧化物扩散层或多晶硅层上定义输入端口及在金属‑氧化物扩散层上定义输出端口；以及在金属‑氧化物扩散层及多晶硅层上方定义第一金属层，第一金属层具有第一组导电路径及第二组导电路径。此方法进一步包含在第一金属层上方定义第二金属层；以及配置第一组第一金属导电路径及第一组第二金属导电路径以互连不同元件中的多个电路组件，其中半导体装置结构中的元件间连接是通过第一组第一金属导电路径、或第一组第一金属导电路径及第一组第二金属导电路径的组合实现。

主权项

一种制造一集成电路的方法，其特征在于，该方法包含：定义一多层半导体装置结构，该多层半导体装置结构包含多个标准元件，该多个标准元件是利用一制造技术布置在一基板上，该多层半导体装置结构具有一金属‑氧化物扩散层及一多晶硅层；在该半导体装置结构的该金属‑氧化物扩散层或该多晶硅层两者中的任一者上定义一输入端口及在该半导体装置结构的该金属‑氧化物扩散层上定义一输出端口；定义一第一金属层，该第一金属层具有一第一组第一金属导电路径及一第二组第一金属导电路径，其中该第一组第一金属导电路径中的至少一个第一金属导电路径在多个元件穿过延伸；在该第一金属层上方定义一第二金属层，该第二金属层具有水平方向第二金属导电路径，其中所述第二金属导电路径沿一方向设置，该方向垂直于所述第一金属导电路径的方向，该第二金属层具有一第一组第二金属导电路径及一第二组第二金属导电路径；以及配置该第一组第一金属导电路径及该第一组第二金属导电路径以互连不同元件的多个电路组件，其中该半导体装置结构中的元件间连接是通过该第一组第一金属导电路径、或该第一组第一金属导电路径及该第一组第二金属导电路径的组合实现。