[发明专利]基板处理装置、液处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201710142468.8 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107275253B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 藤田阳;水野刚资 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中,能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置,特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量,喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量,对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,向基板供给处理液来去除基板的周缘部的膜,该基板处理装置的特征在于,具备:基板保持部,其保持基板并且具备使基板旋转的旋转机构;喷出部,其向被所述基板保持部保持的基板的周缘部喷出所述处理液;喷出位置设定部,其与被输入的制程中包含的所述膜的去除宽度对应地设定处理液的喷出位置;移动机构,其根据由所述喷出位置设定部设定的喷出位置,使来自所述喷出部的处理液的喷出位置沿基板的径向移动;特性信息获取部,其获取要去除的膜的特性信息;校正量获取部,其根据由所述特性信息获取部获取到的膜的特性信息,获取对由所述喷出位置设定部设定的喷出位置进行校正的校正量;以及喷出位置校正部,其根据由所述校正量获取部获取到的校正量,对由所述喷出位置设定部设定的喷出位置进行校正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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