[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710142850.9 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108573860B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 洪锡九;姜美荣;李孝圣;赵庆容;金宝螺;金惠智;赵先觉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构；在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案；使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案；和使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构，其中所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且其中所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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