[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710142957.3 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108572513B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 洪锡九;姜美荣;李孝圣;赵庆容;赵先觉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/075;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R |
||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构；在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案；和使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构，其中所述第一光刻胶图案包括共聚物，所述共聚物包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元，[化学式1]![]()
[化学式2]![]()
[化学式3]![]()
其中“R1”、“R2”、和“R3”各自独立地表示氢、C1‑C20烃基、或被由“‑O‑R11”表示的基团取代的C1‑C20烃基，“R11”为C1‑C10烷基、C2‑C10烯基、C2‑C10炔基、C6‑C10芳基或C3‑C10环烷基，“p”为1‑10的整数，“q”为1‑10的整数，并且“r”为1‑10的整数，和其中所述共聚物具有1,000‑100,000g/mol的重均分子量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710142957.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
