[发明专利]一种硅基底钕锶钴薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基底钕锶钴薄膜的制备方法，本发明通过对硅基底表面进行预处理可很好地提高其对导电溶胶的亲和性能，使得喷涂过程中导电溶胶更加均匀的分布在硅基底表面，本发明采用以醋酸钕、醋酸锶和醋酸钴这类简单的有机盐为原材料，大大降低了原材料的成本，而且整个工艺过程可在大气环境中操作，且无毒性。

主权项

一种硅基底钕锶钴薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）基底处理用Si(100)作基底，用酒精棉球反复轻轻擦洗衬底表面，以除去表面的有机物；将擦洗过的基片放入装有丙酮的烧杯中，在超声清洗槽内清洗10‑15分钟；然后将基底放入到硝酸中静置浸泡2‑4h；取出基底放入到去离子水中静置2‑3h，除去表面的硝酸；放在通风橱中静置晾干5‑10h；（2）制备导电溶胶溶剂为醋酸、去离子水，稳定剂为乙酰丙酮，它们的体积比为25‑30∶6‑8∶3‑5，溶质为醋酸钕、醋酸锶、醋酸钴，它们的摩尔比为1∶1∶2，以0.3‑0.5M浓度溶于溶液中；按上述的配制比，先将溶剂醋酸、水，溶质醋酸钕、醋酸锶、醋酸钴混合，加热至75‑85℃使溶质完全溶解；再将乙酰丙酮加入上述的混合溶液中混合，加热至110‑115℃，时间115‑125min，使溶液充分回流，然后将溶液的浓度调节为0.3‑0.5M，即制成了稳定的导电溶胶；（3）将导电溶胶，使用旋涂法在上述基底上制备氧化锌凝胶薄膜，将得到氧化锌凝胶薄膜在空气中，100‑105℃条件下干燥10‑20min；接着在空气中，450‑500℃条件下热处理10‑20min，得到氧化锌薄膜。