[发明专利]三维闪存器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710144096.2 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN108598080B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 刘盼盼;张海洋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/10
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 曲瑞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种三维闪存器件及其制造方法,涉及半导体技术领域。该制造方法包括:提供半导体结构,该半导体结构包括:衬底;在该衬底上的第一绝缘物层;在该第一绝缘物层上的鳍片结构,该鳍片结构包括:在第一绝缘物层上交替堆叠的第一栅极层和第二绝缘物层;分别在鳍片结构的两侧面上的第三绝缘物层,其中,该第一绝缘物层、该第二绝缘物层和该第三绝缘物层包围第一栅极层;以及覆盖在鳍片结构和第三绝缘物层上的至少一个沟道层;以及沿着鳍片结构的延伸方向刻蚀沟道层、第二绝缘物层和第一栅极层以形成沟槽,其中,该沟槽将沟道层、第二绝缘物层和第一栅极层分别分成相对的两部分。本发明提高了三维闪存单元的位密度。
搜索关键词: 三维 闪存 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种三维闪存器件的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体结构,所述半导体结构包括:衬底;在所述衬底上的第一绝缘物层;在所述第一绝缘物层上的鳍片结构,所述鳍片结构包括:在所述第一绝缘物层上交替堆叠的第一栅极层和第二绝缘物层;分别在所述鳍片结构的两侧面上的第三绝缘物层,其中,所述第一绝缘物层、所述第二绝缘物层和所述第三绝缘物层包围所述第一栅极层;以及覆盖在所述鳍片结构和所述第三绝缘物层上的至少一个沟道层;以及沿着所述鳍片结构的延伸方向刻蚀所述沟道层、所述第二绝缘物层和所述第一栅极层以形成沟槽,其中,所述沟槽将所述沟道层、所述第二绝缘物层和所述第一栅极层分别分成相对的两部分。
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