[发明专利]三维闪存器件及其制造方法有效
申请号: | 201710144096.2 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN108598080B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 刘盼盼;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/10 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 曲瑞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维闪存器件及其制造方法,涉及半导体技术领域。该制造方法包括:提供半导体结构,该半导体结构包括:衬底;在该衬底上的第一绝缘物层;在该第一绝缘物层上的鳍片结构,该鳍片结构包括:在第一绝缘物层上交替堆叠的第一栅极层和第二绝缘物层;分别在鳍片结构的两侧面上的第三绝缘物层,其中,该第一绝缘物层、该第二绝缘物层和该第三绝缘物层包围第一栅极层;以及覆盖在鳍片结构和第三绝缘物层上的至少一个沟道层;以及沿着鳍片结构的延伸方向刻蚀沟道层、第二绝缘物层和第一栅极层以形成沟槽,其中,该沟槽将沟道层、第二绝缘物层和第一栅极层分别分成相对的两部分。本发明提高了三维闪存单元的位密度。 | ||
搜索关键词: | 三维 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三维闪存器件的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体结构,所述半导体结构包括:衬底;在所述衬底上的第一绝缘物层;在所述第一绝缘物层上的鳍片结构,所述鳍片结构包括:在所述第一绝缘物层上交替堆叠的第一栅极层和第二绝缘物层;分别在所述鳍片结构的两侧面上的第三绝缘物层,其中,所述第一绝缘物层、所述第二绝缘物层和所述第三绝缘物层包围所述第一栅极层;以及覆盖在所述鳍片结构和所述第三绝缘物层上的至少一个沟道层;以及沿着所述鳍片结构的延伸方向刻蚀所述沟道层、所述第二绝缘物层和所述第一栅极层以形成沟槽,其中,所述沟槽将所述沟道层、所述第二绝缘物层和所述第一栅极层分别分成相对的两部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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