[发明专利]半导体热电堆红外探测器及制造方法在审

专利信息
申请号: 201710144113.2 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN107356341A 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 刘伟 申请(专利权)人: 杭州立昂微电子股份有限公司
主分类号: G01J5/14 分类号: G01J5/14;G01J5/12;G01J5/10;H01L35/32
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 代理人: 尉伟敏,阎忠华
地址: 310018 浙江省杭州市市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种半导体热电堆红外探测器及制造方法,包括单晶硅衬底,垂直于单晶硅衬底下表面并向上垂直延伸的若干个柱状的热电偶,所述热电偶包括由第一材料构成的第一实心柱和由第二材料构成的第二实心柱,第一实心柱和第二实心柱平行延伸,第一实心柱和第二实心柱之间设有间隔,第一实心柱和第二实心柱外侧均设有第三介质层;每个热电偶的第一实心柱和第二实心柱的顶部均通过伸出单晶硅衬底上表面的第一金属层电连接,各个第一金属层之间和各个第一金属层之上均设有第一介质层,第一介质层上设有红外线吸收膜。本发明具有易于制造,可靠性好的特点。
搜索关键词: 半导体 热电 红外探测器 制造 方法
【主权项】:
一种半导体热电堆红外探测器,其特征是,包括单晶硅衬底(1),起始于单晶硅衬底下表面并穿过单晶硅衬底向上延伸的若干个柱状的热电偶(2),所述热电偶包括由第一材料构成的第一实心柱(3)和由第二材料构成的第二实心柱(4),第一实心柱和第二实心柱平行延伸,第一实心柱和第二实心柱之间设有间隔,第一实心柱和第二实心柱外侧均设有第三介质层(13);每个热电偶的第一实心柱和第二实心柱的顶部均通过第一金属层(5)电连接,各个第一金属层之间和各个第一金属层之上均设有第一介质层(6),第一介质层上设有红外线吸收膜(8),所述第一金属层和第一介质层下表面与衬底上表面之间形成空腔(7),单晶硅衬底下表面设有第二介质层(9),第二介质层下表面设有第二金属层(12),与相邻热电偶的第一实心柱和第二实心柱对应的第二介质层上分别设有第一通孔(10)和第二通孔(11),第二金属层通过第一通孔与第一实心柱下端电连接,第二金属层通过第二通孔与第二实心柱下端电连接。
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