[发明专利]一种p-型Cu4Ga6Te11基中温热电半导体有效
| 申请号： | 201710144261.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107010609B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L35/16 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 潘杰;白洪长 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种p‑型Cu4Ga6Te11基中温热电半导体，该中温热电半导体是在Cu4Ga6Te11合金中采用摩尔分数为0.024的Sb等摩尔替换Cu元素，构成四元热电半导体，化学式为Cu3.5Ga6Sb0.5Te11；其合成工艺为：根据化学式称量相应量的Cu、Ga、Sb、Te四种元素，在1050～1150℃下真空熔炼120小时。熔炼结束后在液氮中急冷，然后取出铸锭粉碎球磨，球磨后的粉末在经放电等离子火花烧结成形，烧结时间10分钟，烧结温度为550～650℃，烧结压力为55～65MPa。烧结后在390℃的真空管中退火65～75小时，制备得到Cu3.5Ga6Sb0.5Te11热电半导体。其具有无污染，无噪音，应用于中温发电元器件制作，运行可靠，寿命长，制备工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu4ga6te11 温热 半导体 及其 合成 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种p‑型Cu4Ga6Te11基中温热电半导体，其特征在于在Cu4Ga6Te11半导体中采用摩尔分数为0.024的Sb等摩尔替换Cu元素，构成四元热电半导体，该四元热电半导体的化学式为Cu3.5Ga6Sb0.5Te11。
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