[发明专利]锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法

摘要

本发明涉及锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法。该方法首先以硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴的两种或三种作为金属离子源，草酸二乙脂作为反应沉淀剂，氨水或氢氧化钠作为配位剂，进行化学沉淀反应，然后将沉淀产物经抽滤洗涤、干燥研磨、煅烧研磨后得到锰、镍、钴基二元或三元热敏电阻粉体材料。该方法具有操作简便、成本低、周期短、产率高的特点，所得热敏电阻粉体为尖晶石结构，粒径小、形状好、分散性好、品质好。

主权项

一种锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法，其特征在于按下列步骤进行：a、将硫酸盐为硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴中的两种或三种按离子摩尔比锰:镍:钴=1‑4:0‑1:0‑5溶于去离子水中，在温度40℃下搅拌30‑60min，形成浓度为0.5‑5mol/L的均匀混合溶液；b、准确称量分析纯草酸二乙酯，用去离子水将其配制成1mol/L的草酸二乙酯溶液，并在温度40℃下搅拌30‑60min，使草酸二乙酯水解；c、用去离子水将氨水或氢氧化钠配置成浓度为1mol/L的氨水或氢氧化钠溶液，并在温度40℃下搅拌30‑60min；d、将步骤b配置的草酸二乙酯溶液加入步骤a配置的混合溶液中，逐渐升温，控制反应温度在70‑90℃下搅拌30‑60min，使得溶液混合均匀；e、保持步骤d形成的混合溶液的搅拌速率不变，将步骤c配置的氨水或氢氧化钠溶液用分液漏斗逐滴加入步骤d形成的混合溶液中，滴定结束后，溶液的pH值在6‑10之间；f、将步骤e所得溶液继续搅拌4‑8h后停止搅拌，陈化12‑24h，形成上层清液和下层沉淀；g、用去离子水对步骤f中下层沉淀进行抽滤洗涤4‑10次，再用无水乙醇洗涤1‑2次，得到沉淀物；h、将步骤g中沉淀物置于温度100‑120℃进行烘干，烘干后研磨30‑60min，得到沉淀粉末，将沉淀粉末于马弗炉中温度450‑600℃热分解1‑10h；i、将步骤h中热分解后的粉体继续研磨1‑4h，再于温度700‑1000℃进行预烧，预烧后再研磨1h，即可得锰、镍、钴基二元或三元热敏电阻粉体材料。