[发明专利]一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台在审

专利信息
申请号: 201710145504.6 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN106952663A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 翟正军 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 西北工业大学专利中心61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台,用于解决现有固态存储产品开发平台实用性差的技术问题。技术方案是包括多物理接口模块、多协议处理模块、嵌入式处理内核、并行多通道存储控制器、存储芯片阵列、高速缓存控制器、高速缓存、电源模块、配置与调试模块和快速擦除及物理销毁模块。本发明具有丰富的逻辑可配置功能、多通道并行控制器、高速大容量缓存以及存储芯片阵列,灵活的物理接口选择,可完成多种协议接口固态存储产品的开发,可开展固态存储产品的关键技术研究与验证,并且具有快速擦除和物理销毁NAND FLASH存储介质的功能,能够为自主可控的国产化固态存储产品的研发提供技术手段,实用性好。
搜索关键词: 一种 接口 高速 容量 固态 存储 产品 开发 平台
【主权项】:
一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台,其特征在于:包括多物理接口模块、多协议处理模块、嵌入式处理内核、并行多通道存储控制器、存储芯片阵列、高速缓存控制器、高速缓存、电源模块、配置与调试模块和快速擦除及物理销毁模块;多物理接口模块、多协议处理模块用于满足不同物理接口及存储协议要求;嵌入式处理内核完成内部存储机制的调度,执行存储介质的坏块管理、损耗均衡和垃圾回收这些介质管理算法;并行多通道存储控制器完成对存储芯片阵列的底层读写操作的控制;所述存储芯片阵列是固态存储器的存储介质;高速缓存控制器完成高速缓存的读写操作控制;高速缓存由多个缓存体构成,容量达到8GB,作为主机与存储芯片阵列的数据缓存;电源模块为固态存储产品开发平台供电;配置与调试模块用于固态存储产品开发平台的调试及接口配置;快速擦除及物理销毁模块在固态存储产品开发平台启动后对存储芯片阵列执行快速全盘擦除及物理销毁存储介质操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710145504.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top