[发明专利]三维存储器元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种三维存储器元件的制造方法。该制造方法包括：于基底上形成交替堆叠的多个绝缘层与多个牺牲层；形成穿过绝缘层与牺牲层的至少一第一开口；于第一开口的侧壁所裸露出的牺牲层的表面上形成多个保护层；于第一开口的侧壁上形成电荷储存层，所述电荷储存层覆盖保护层；于电荷储存层上形成通道层；以多个栅极层替换牺牲层与保护层。本发明另提出一种三维存储器元件。

主权项

1.一种三维存储器元件的制造方法，其特征在于，包括：于一基底上形成交替堆叠的多个绝缘层与多个牺牲层；形成穿过该些绝缘层与该些牺牲层的至少一第一开口；于该第一开口的侧壁所裸露出的该些牺牲层的表面上形成多个保护层；于该第一开口的侧壁上形成一电荷储存层，该电荷储存层覆盖该些保护层；于该电荷储存层上形成一通道层；以及以多个栅极层替换该些牺牲层与该些保护层。